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[判断题]

耗尽型MOS管在栅源电压uGS为正或为负时均能实现压控电流的作用。()

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第1题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第3题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第4题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第6题
MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第7题
在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路。()
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第8题
在一个共源放大电路中,已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27,MOS管的
Cgm=0.3 pF,Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH>10MHz,试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大,其影响可以忽略。

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第9题
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V,其开启电压或夹断电压为-1V,该管工作在()。

A.可变电阻区

B.预夹断临界点

C.截止区

D.饱和区

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第10题
测得某增强型场效应管栅源电压为2V,已知Vth=1V,则该管不可能工作在()区。

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第11题
功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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