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[单选题]
某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。
某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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某双端输入、双端输出低噪声放大器，电路如图所示，其中L1、L2(L'1、L'2)与场效应管M1(M'1)的电容Cgs串联谐振，构成与信号源阻抗RS匹配的输入网络。电容C1(C'1)是隔直流电容，输出负载是L3CL(L'3C'L)并联谐振回路。已知，场效应管的特征角频率ωT=30×109rad/s，工作频率为ω0=5×109rad/s，两场效应管电容Cgs=0.5pF，输出回路线圈L3=6.5nH，Q=5，信号源内阻RS=50Ω。要求：
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
单二极管混频电路及二极管伏安特性如图所示。本振vLO(T)=VLOcosωLOt为大信号，vRF(t)=VRFcosωRFt小信号。要求：
一非线性器件在工作点上展开的转移特性为
设VLm>>Vsm,求该非线性器件组成变频器时的变频跨导gm。
混频器中晶体三极管在静态工作点上展开的转移特性由下列幂级数表示:
。已知混频器的本振频率为fL=23MHz，中频频率fI=fL-fC=3MHz。若在混频器输入端同时作用fM1=19.6MHz和fM2=19.2MHz的干扰信号，试问在混频器输出端是否会有中频信号输出？它是通过转移特性的几次方项产生的？
物质的惟一特性是客观实在性，这里的“客观实在”是指
A．看得见、摸得着的实物
B．物质的具体形态和结构
C．不以人的意志为转移
D．不能被人们所认识
