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[单选题]
某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。
某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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更多“某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。A.P沟道增…”相关的问题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
欧，Rm=1千欧，Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V，Kn=2mA/V2，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
(西南交通大学2005年考研试题)如图4一111(a)所示电路，非线性电阻的伏安特性如图4一111(b)所示，求u和i的值。
如图(a)所示电路，已知Us=2V，R1=R2=2Ω，非线性电阻的伏安特性为i=f(u)=2u2(u＞0)。
已知条件如图15-3所示，分析各种压力锅炉的省煤器工质的热力特性参数变化规律表示的热能动力工程意义。
用理想集成运放组成的对数变换器如图6-11所示，已知VCC=10V，R6=1MΩ，R1=10kΩ，(R3+R4)/R3=16.8。设各管特性相同，β足够大，试在室温时，
电路如图11.3.7所示，非线性电阻元件特性的表达式为
如图4-43所示电路:
(1)写出电压转移函数
(2)若激励信号
,为使响应中不存在正弦稳态分量,求LC约束;
(3)若
按第(2)问条件,求v0(t).
比较器如图LT6-23(a)所示,已知稳压骨的Vz=7.3V,正向导通电压VD(on)=0.7V,D3、D4为理想二极管,VREF1=5V,VREF2=10V,试画出υ0-υi比较特性.
