增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的。耗尽型MOS管的的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不…”相关的问题

第1题

在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益A_u=-g_mR'_L=-27，MOS管的

C_gm=0.3 pF，C_gd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率f_H＞10MHz，试求信号源内阻R_si的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。

点击查看答案

第2题

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

点击查看答案

第3题

已知某N沟道MOS管的K_n=0.25mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gd=0.04pF，C_gn=0.2pF。设其偏置电压V_GSQ=3V，试求其单位增益带宽f_T。

点击查看答案

第4题

已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电

已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电

源电压V_DD，静态栅源电压V_GS，漏极电流I_DQ和漏源电压V_DSQ值;(2) 已知R_g1=200kQ，R_g2等于多少？(3) R_d、R_L的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度V_om(设v_i为正弦信号)。

点击查看答案

第5题

一个理想电压源，当u与e参考方向相反时，有u=e。（)

点击查看答案

第6题

电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_DD⌘

电路如图题4.3.1（主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_{DD⌘电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_DD=5 V，V_TS=1V，K_n=0.1mA/V₂。试计算电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。}