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[主观题]

已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT

已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT

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第1题
该MOS管的沟道性质和类型是什么?

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第2题
求解下列问题:(1)已知一NMOS管的W/L=10,IDQ=0.1mA,VTN=0.5V,K'n=387μA/V2
求解下列问题:(1)已知一NMOS管的W/L=10,IDQ=0.1mA,VTN=0.5V,K'n=387μA/V2

求解下列问题:(1)已知一NMOS管的W/L=10,IDQ=0.1mA,VTN=0.5V,K'n=387μA/V2,沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA,IES=6x10-15mA ,基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。

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第3题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。

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第4题
在一个共源放大电路中,已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27,MOS管的
Cgm=0.3 pF,Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH>10MHz,试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大,其影响可以忽略。

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第5题
某水电站风罩为圆筒式结构,已知风罩外直径为1070cm,风罩内直径为950cm,风罩高为3.9m,风罩内部与外部的温度差△t=20℃。混凝土骨料为安山岩,混凝土温度线膨胀系数αt=1×10-5-1,则该圆筒式风罩结构在内部与外部温度差△t=20℃作用下所受的最大剪力值Vx为( )kN。

A.-136.5

B.-138.5

C.-140.5

D.-142.5

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第6题
充放电开关可以是()。

A.继电器

B.MOS管

C.三极管

D.晶闸管

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第7题
图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,输入端输出端

图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,

输入端输出端

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第8题
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长

度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.

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第9题
(西南交通大学2003—2004学年第2学期期末考试试题B卷)已知某管流的雷诺数Re=ρvR/μ=500,则其相应的

(西南交通大学2003—2004学年第2学期期末考试试题B卷)已知某管流的雷诺数Re=ρvR/μ=500,则其相应的沿程阻力系数λ=64/Re=0.128。

A.正确

B.错误

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第10题
图示钢质拐轴,承受铅垂载荷F作用,已知载荷F=1 kN,许用应力 [σ]=160 MPa。按第三强度理论,轴AB的直径必须满足_______。

A.d ≤ 18.3mm

B.d ≤ 23.6mm

C.d ≥ 23.6mm

D.d ≥ 47.2mm

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第11题
某气体混合物(比热容及热导率均未知)以90kg/h的流量流过套管换热器的内管,气体的温度由38℃被加热到138℃。内管内径为53mm,外管内径为78mm,壁厚均为2.5mm,管外为蒸汽冷凝使管内壁温度维持在150℃。已知混合气体黏度为0.027mPa•s,其普朗特数Pr=1,试求套管换热器的管长。
某气体混合物(比热容及热导率均未知)以90kg/h的流量流过套管换热器的内管,气体的温度由38℃被加热到138℃。内管内径为53mm,外管内径为78mm,壁厚均为2.5mm,管外为蒸汽冷凝使管内壁温度维持在150℃。已知混合气体黏度为0.027mPa•s,其普朗特数Pr=1,试求套管换热器的管长。

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