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求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2，沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA，IES=6x10-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
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在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
求解线性规划问题
min f=-x4+x5，
s．t． x1-x4+4x5=-5，
x2+x4-3x5=1，
x3-2x4+5x5=-1，
xj≥0(j=1，2，…，5).
求解参数线性规划问题：
min f=(-6+ρ)x4+(12-2ρ)x5+(30-3ρ)x6+(-50+10ρ)x7，
s.t.x1-x4+x5-x6+x7=1,
x2+x5-2x6+x7=2，
x3-3x4+2x5+x6-x7=3,
xj≥0(j=1,2，…，7).
用p分算法求解下列问题：
min f=5x1+3x2+8x3-5x4，
s.t.x1+x2+x3+x4≥25,
5x1+x2≤20,
5x1-x2≥5，
x3+x4=20,
xi≥0(i=1,2,3,4).
(2)
(3)
