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更多“测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管…”相关的问题
第3题
以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
第4题
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒（接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒（接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
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第7题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电
已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
第8题
设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
第9题
某药物用高效毛细管电泳分析，测得的迁移时间为5.76分钟，已知毛细管总长度为64cm，毛细管有效长度Ld为55cm，外加电压25kV，该系统的电渗率为3.42x10-4，试计算该药物的电泳淌度。
