题目内容
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[单选题]
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（)。
A.可变电阻区
B.预夹断临界点
C.截止区
D.饱和区
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C.截止区
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
