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第1题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
第2题
已知某电子管栅极与阴极之间的电容C=200pF，试求当f1=1.8MHz载波频率及f2=3.4kHz调制频率时该电容所呈现的容
已知某电子管栅极与阴极之间的电容C=200pF，试求当f1=1.8MHz载波频率及f2=3.4kHz调制频率时该电容所呈现的容抗。
第8题
当综合经济指数按不封顶方式计算时，如果等于或超过100%，说明各项指标均达到或超过标准值。（)
当综合经济指数按不封顶方式计算时，如果等于或超过100%，说明各项指标均达到或超过标准值。()
第10题
用小于或等于100V的电压，对电容式压力变送器的插针和壳体绝缘电阻进行检测时，当绝缘电阻小于100MΩ时，变送器（)。
A.输出值偏大
B.输出值偏小
C.无输出值或输出值不稳定
D.输出值准确稳定
第11题
当洪水位距离设计洪水位1米时，桥墩已受到洪水较大的冲击，达到（)，此时应派人监视水位、墩台、梁体和线路的变化情况。
A.看守警戒水位值
B.限速警戒值
C.封锁警戒值
D.出巡警戒值
