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第4题
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.（1)试推导
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表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化？
第6题
以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
第7题
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（)。
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
第9题
禁止在运行中（)、（)机器的旋转和移动部分，以及把手伸入栅栏内。清试运转中机器的固定部分时，不准
禁止在运行中()、()机器的旋转和移动部分，以及把手伸入栅栏内。清试运转中机器的固定部分时，不准把抹布()或手指上使用，只有在转动部分对工作人员没有危险时，方可允许用()或油枪往油盅和轴承理加油。
第11题
关于缓变沟道近似（GCA），下列说法中正确的是（）。
A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维
