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第2题
在CMOS电路中采用图（a)～（d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压V
在CMOS电路中采用图(a)～(d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V，二极管的正向导通压降为0.7V。
第3题
写出图L4－1所示电路的逻辑函数表达式，其中S3、S2、S1、S0为控制信号，A、B为数字信号输入，列表说明输出Y在S3～S0
写出图L4-1所示电路的逻辑函数表达式，其中S3、S2、S1、S0为控制信号，A、B为数字信号输入，列表说明输出Y在S3～S0的控制下与A、B的关系。
第4题
图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1
图2.3.5所示电路中，(a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；(b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1和Y2的逻辑表达式。
第9题
电路如图3－21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
