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[主观题]
电路如图3－21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
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下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V，计算ID和UDS的值。
已知下图所示的电路中，结型场效应管的IDSS=3mA，UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时，场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)？
共源极放大电路如下图所示，已知场效应管gm=1.2mS，画出该电路交流通路和交流小信号等效电路，求Au、Ri、Ro。
欧，Rm=1千欧，Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V，Kn=2mA/V2，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
)1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av，输入电阻Ri和输出电阻Ro;
，求
。
。试求：
