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[主观题]

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求A

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第1题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第2题
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。

A.共基极

B.共源极

C.共漏极

D.共栅极

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第3题
共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路()。

A.共射极

B.共集电极

C.共基极

D.共栅极

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第4题
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:

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第5题
分压式偏置稳定放大电路如下图所示,已知晶体管的β=60,UBE=-0.3V,rbb'=100Ω。

分压式偏置稳定放大电路如下图所示,已知晶体管的β=60,UBE=-0.3V,rbb'=100Ω。

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第6题
场效应管放大电路的共漏极接法,与双极晶体管放大电路相比较,双极晶体管放大电路对应的是接法()。

A.共集电极

B.共基极

C.共栅极

D.共射极

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第7题
下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

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第8题
已知下图所示的电路中,结型场效应管的IDSS=3mA,UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时,场效应管

已知下图所示的电路中,结型场效应管的IDSS=3mA,UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时,场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)?

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第9题
在一个共源放大电路中,已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27,MOS管的
Cgm=0.3 pF,Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH>10MHz,试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大,其影响可以忽略。

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第10题
图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不
计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.

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第11题
放大电路如下图所示,试按深度负反馈估算整体放大电路的电压放大倍数。

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