题目内容
（请给出正确答案）
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
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度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
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(1)设输入v1的波形如图7．3．1(a)所示，试画出v12及v0的波形。
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(2)试确定电阻R的值，使输出脉冲宽度为10μs。
A.阀门应设在容易接近、便于操作、维修的地方
B.隔断设备用的阀门不宜与设备管口直接相连或靠近设备
C.经常操作的阀门，最适宜的安装高度为距离操作面1.2m上下
D.地下管道的阀门应设在管沟内或阀井内
在图a电路中，设C=2F，Uc(0-)=2v，is波形如图b所示，对所有t，试计算响应uc。
图电路中，C1=1F，C2=2F，它们单独具有初始电压u1(0-)=1V，u2(0-)=2V，t=0接成图示电路。设us=3e-tV，试求t＞0后的电压u1、u2。
源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
