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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

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更多“以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的…”相关的问题

第1题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第2题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第3题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第4题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第5题

平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（)。

A.均匀分布

B.线性分布

C.高斯分布

D.余误差分布

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第6题

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V² ，

求解下列问题：（1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，沟道长度调制效应可忽略。试求V_GSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的l_EQ=0.1mA，I_ES=6x10^-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求V_BEQ的值。

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第7题

晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第8题

引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（)。

A.发射结正偏电压变化

B.集电结反偏电压变化

C.基区少子浓度梯度变化

D.发射结势垒宽度变化

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第9题

PN结的净电流为零的原因是：空间电荷区自建电场使载流子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡。（)

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第10题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第11题

关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：（)。

A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值

B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度

C.电子的迁移率为正

D.电子的迁移率大于空穴的迁移率

E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正

F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率

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