![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/m_q_title.png)
[单选题]
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()
A.电子,扩散
B.电子,漂移
C.电子,漂移和扩散
D.空穴,漂移
查看答案
![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/solist_ts.png)
A.电子,扩散
B.电子,漂移
C.电子,漂移和扩散
D.空穴,漂移
求解下列问题:(1)已知一NMOS管的W/L=10,IDQ=0.1mA,VTN=0.5V,K'n=387μA/V2,沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA,IES=6x10-15mA ,基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率