题目内容
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[单选题]
平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（)。
A.均匀分布
B.线性分布
C.高斯分布
D.余误差分布
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一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
