如果结果不匹配，请 
更多“MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。”相关的问题
第1题
在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27，MOS管的
Cgm=0.3 pF，Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH＞10MHz，试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。
点击查看答案
第3题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA／V2，VP=－4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第5题
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒（接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒（接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
点击查看答案
第8题
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。（1)画出简化阵列图。（2)列表说明其存储的内容。（3)写
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
第9题
关于反应器过滤器反吹阀门描述正确的是（)。
A.每一个反吹阀门对应一个管板区域
B.阀门内漏降低反吹效果
C.提高反吹压力有利于反吹
D.反吹压力相同时，反吹气体的温度越高，气体耗量越大
