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第4题
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgd=0.04pF，Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V，试求其单位增益带宽fT。
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgd=0.04pF，Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V，试求其单位增益带宽fT。
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第9题
MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素，其中，MOS管处于截止区时，CGC主要来自（);MOS处于饱和区时，CGC主要来自（)。
A.CGCS;CGCD
B.CGCS;CGCB
C.CGCB;CGCS
D.CGCB;CGCD
