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[多选题]

晶体中缺陷包括()

A.空位

B.晶界

C.位错

D.晶粒

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第1题
金相组织有晶界( )、严重( )、脱碳及晶界裂纹等缺陷的炉管应更换。
金相组织有晶界()、严重()、脱碳及晶界裂纹等缺陷的炉管应更换。

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第2题
间歇操作中,能产生预定粒度晶体的操作方法是()。

A.不加晶种迅速冷却

B.加有晶种缓慢冷却

C.加有晶种迅速冷却

D.不加晶种缓慢冷却

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第3题
理论上认为,高温下NaCl晶体导电是由于Na+迁移到另一空位而造成(如图8-5).其中Na+
理论上认为,高温下NaCl晶体导电是由于Na+迁移到另一空位而造成(如图8-5).其中Na+

要经过一个由三个Cl-组成的最小三角形窗口(a离子相互不接触).已知NaCl单元晶胞参数a=564pm,r(Cl-)=167pm,r(Na+)=116pm,试计算三角形窗口的半径.

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第4题
分别计算体心立方和面心立方晶体的(100),(111)晶面的面间距,并且说明在X射线衍射实验中,如果入射X光的波长不变,则对于体心立方和面心立方来说,发生衍射时哪个晶面的入射角更大? 体心立方晶体点阵常数a=0.2866nm,用波长λ=0.2291nm的X射线照射,试计算(110)、(200)及(211)晶面可能发生的衍射角
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第5题
Bi在多晶体Cu的晶界上偏聚后使Cu变脆。①估算室温下Bi在晶内的浓度为多大?设Cu的晶粒直径约为0.01mm。Bi在Cu晶

Bi在多晶体Cu的晶界上偏聚后使Cu变脆。①估算室温下Bi在晶内的浓度为多大?设Cu的晶粒直径约为0.01mm。Bi在Cu晶界上的畸变能可忽略,设Bi原子在晶内引起的畸变能为6.6×10J/mol,晶界为单原子层,。原子体积约为0.0425n。②估计在Cu中Bi的平均浓度多大时能发生这种现象。

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第6题
从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、100和()。

A.101

B.110

C.001

D.011

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第7题
生长丘是钻石晶体在生长过程中形成的,具有规则几何形状而突出于()的生长物。

A.晶棱

B.晶面

C.晶带

D.晶核

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第8题
晶界的存在使得材料()

A.耐蚀性下降

B.熔点升高

C.强度增加

D.强度降低

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第9题
固体材料的界面有三种,分别是表面、晶界(或亚晶界)和相界。()
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第10题
的存在使金属材料的塑性变形更加容易。A.晶界B.间隙原子C.亚晶界D.刃位错

的存在使金属材料的塑性变形更加容易。

A.晶界

B.间隙原子

C.亚晶界

D.刃位错

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第11题
纯铜板焊接时,在熔池结晶过程中,晶界易形成低熔点的氧化铜一铜的共晶物。()
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