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[判断题]

PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。()

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第1题
PN结的净电流为零的原因是:空间电荷区自建电场使载流子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡。()
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第2题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第3题
关于光生伏特效应,以下说法正确的是?()
A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时,由于光激发和半导体内建电场的作用,使半导体内部产生电动势

B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池

C、是光能转换成电能

D、能够产生有效的光生伏特效应,需要:光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离

E、是电能转换成光能

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第4题
在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第5题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第6题
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第7题
关于“载流子的迁移率”,以下说法正确的是:()。

A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值

B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度

C.电子的迁移率为正

D.电子的迁移率大于空穴的迁移率

E.电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正

F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率

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第8题
在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,
如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

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第9题
考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。()
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第10题
下列关于免疫电泳技术的叙述,正确的是()。

A.在交流电场作用下的凝胶扩散试验

B.在直流电场作用下的沉淀反应

C.颗粒越大,泳动速度越快

D.缓冲液pH值大于蛋白质等电点时,蛋白质分子向阳极端泳动

E.静电荷量越少,泳动速度越快

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第11题
在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是()。

A.扩散运动

B.漂移运动

C.有序运动

D.同步运动

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