首页 > 其他
题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,…”相关的问题
第1题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

点击查看答案
第2题
实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似,相当于势垒高度()。

A.更低

B.更高

C.不变

D.不确定

点击查看答案
第3题
PN结的净电流为零的原因是:空间电荷区自建电场使载流子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡。()
点击查看答案
第4题
在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

点击查看答案
第5题
PN结外加P正N负的电压时,其正向导通。()
点击查看答案
第6题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

点击查看答案
第7题
单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()
点击查看答案
第8题
金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

点击查看答案
第9题
芯片是由半导体材料制作而成的,其基本元器件是:()。

A.硅元素

B.由PN结构成的二极管

C.硅晶圆

D.门电路

点击查看答案
第10题
考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。()
点击查看答案
第11题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改