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[主观题]
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度()。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（);在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（)。
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A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大
B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力
C.一定要缓慢滴加前驱体溶液
D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
