题目内容
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[单选题]
对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：（)。
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
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B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
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B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态
A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体
B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体
C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体
D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体
A.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，就是半导体发光
B.处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光
C.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光
D.在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光
A.低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区，载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区，载流子浓度不随温度变化
F.低温区，载流子浓度不随温度变化
