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第9题
在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
第10题
在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，
如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围
,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为
，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
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,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
第11题
关于光生伏特效应，以下说法正确的是?()
A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时，由于光激发和半导体内建电场的作用，使半导体内部产生电动势
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B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
