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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。（)

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更多“考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子…”相关的问题

第1题

加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象叫PN结（)。

A.烧坏

B.击穿

C.穿透

D.损坏

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第2题

单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。（)

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第3题

金属和半导体接触的整流特性可用于？（)

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

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第4题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第5题

芯片是由半导体材料制作而成的，其基本元器件是：（)。

A.硅元素

B.由PN结构成的二极管

C.硅晶圆

D.门电路

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第6题

下列选项中，不属于对PN结空间电荷区放电的是（)。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第7题

关于光生伏特效应，以下说法正确的是?()

A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时，由于光激发和半导体内建电场的作用，使半导体内部产生电动势

B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池

C、是光能转换成电能

D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离

E、是电能转换成光能

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第8题

下列器件中，不存在二次击穿现象的功率半导体器件是？（)

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

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第9题

二板管有()个PN结，三极管有()PN结。

二板管有（)个PN结，三极管有（)PN结。

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第10题

锗材料PN结的结压降为（)。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第11题

硅材料PN结的结压降为（)V。

A.0.3

B.1

C.0.7

D.2

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