题目内容
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[主观题]
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:
(1)该管是耗尽型还是增强型?
(2)是N沟道还是P沟道FET?
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04μF,其他参数如图所示。求R=0.5kΩ时,电流的值。