题目内容
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[主观题]
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT。
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT。
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求解下列问题:(1)已知一NMOS管的W/L=10,IDQ=0.1mA,VTN=0.5V,K'n=387μA/V2,沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA,IES=6x10-15mA ,基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。
A.-136.5
B.-138.5
C.-140.5
D.-142.5
度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
(西南交通大学2003—2004学年第2学期期末考试试题B卷)已知某管流的雷诺数Re=ρvR/μ=500,则其相应的沿程阻力系数λ=64/Re=0.128。
A.正确
B.错误
A.d ≤ 18.3mm
B.d ≤ 23.6mm
C.d ≥ 23.6mm
D.d ≥ 47.2mm