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[主观题]

图NP4-28所示为二极管包络检波器电路。若设二极管的特性均为一条从原点出发、斜率为gD=1/R≇

图NP4-28所示为二极管包络检波器电路。若设二极管的特性均为一条从原点出发、斜率为gD=1/RD的直线,RLC低通滤波器具有理想的滤波特性,RL=4.7kΩ,其中图(a)为推挽检波电路,图(b)中L2C2谐振回路的固有谐振电阻Rco=10kΩ。已知RL>>RD,vs(t)=Vsmcosωct,试求电压传输系数ηd,并估算图(a)电路的R;和图(b)电路的Rab值。

图NP4-28所示为二极管包络检波器电路。若设二极管的特性均为一条从原点出发、斜率为gD=1/R≇图

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第1题
二极管峰值包络检波器中,若它的交、直流负载电阻两者相差越大,其结果是()

A.越容易产生惰性失真

B.越不容易产生惰性失真

C.越容易产生底部切割失真

D.越不容易产生底部切割失真

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第2题
桥式整流电路如图1.5.12所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D 4种型号的二极管,其参数分别如表
1.5.1所列。你认为应选用哪种型号的二极管更适用于该电路,并简述理由。

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第3题
桥式整流电路如下图所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D4种型号的二极管,其参数分别如下表所列。你认为应
选用哪种型号的二极管更适用于该电路,并简述理由。

二极管型号ABCD
最大整流电流IF/mA530100500
最高反向工作电压VRM/V255050500
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第4题
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出

电压V0的波形。

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第5题
电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管

电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管检波效率ηd≈1。试写出uO1、uO2、uO的表达式,说明电路具有什么功能?

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第6题
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静

态(即ve=0)时,求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。

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第7题
图是某MSI计数芯片的应用电路,设VD为理想二极管,R1=R2=5.1kΩ,C=0.1μF。

图是某MSI计数芯片的应用电路,设VD为理想二极管,R1=R2=5.1kΩ,C=0.1μF。

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第8题
在题图E5-8所示电路中,已知RL=80Ω,直流电压表V的读数为110V,试求: (1)直流电流表A的读数; (2
在题图E5-8所示电路中,已知RL=80Ω,直流电压表V的读数为110V,试求: (1)直流电流表A的读数; (2

在题图E5-8所示电路中,已知RL=80Ω,直流电压表V的读数为110V,试求:

(1)直流电流表A的读数;

(2)整流电流的最大值;

(3)交流电压表V1的读数;

(4)变压器二次电流的有效值。二极管的正向压降忽略不计。

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第9题
图所示电路中,电压U为( )。

A.US-RI

B.US+RI

C.-US-RI

D.-US+RI

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第10题
分析下图所示整流电路的结构特点,计算输出电压uO1和uO2的值及流过每只二极管的平均电流。

分析下图所示整流电路的结构特点,计算输出电压uO1和uO2的值及流过每只二极管的平均电流。

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第11题
分析图7.3.12所示电路,画出状态图。设初态为0。

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