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[主观题]
电路如图题3.4.9所示，D1、D2为硅二极管，当vi=6sinwt(V)时，试用恒压降模型分析电路，绘出输出
电路如图题3.4.9所示，D1、D2为硅二极管，当vi=6sinwt（V)时，试用恒压降模型分析电路，绘出输出
电压V0的波形。
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更多“电路如图题3.4.9所示，D1、D2为硅二极管，当vi=6s…”相关的问题
态(即ve=0)时，求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时，求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。
A.T1，D2导通
B.T1，D1导通
C.T2，D2导通
D.T2，D1导通
放大器的频率特性如图3．4．9所示，判断图(a)～(c)表示的系统哪个稳定，哪个不稳定。
如图2．35所示方形镜谐振腔，凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6．45cm，f2=πω022/λ0=38．7cm。d1=25cm，d2=50cm，r1=0．98，r2=0．93。透镜的透过率为95％，λ0=5145
。
(1)写出TEMmnq模频率的表达式； (2)求腔内光子寿命； (3)估计腔的Q值； (4)如果腔内存在增益物质，可以使光强每程放大1．13倍，求此有源腔的光子寿命，对此结果怎样理解？
0°节圆直径为D1=160mm，D2=632mm,D3=204mm。求II轴两端轴承A和B的约束力。
落小于2%时，输入方波的最低频率为多少？
11，v12和v13之间的关系式;(2)写出当电路中电阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R时，输出电压v0的表达式。
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4V，问基极上偏流电阻Rb1为多大？
源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
对如表9-4所示的访问控制矩阵，请问是否能在下列域中进行如下的操作？ (1)在域D1中执行文件F2； (2)在域D2中将域D1对文件F1的访问权扩展为R*； (3)在域D2中将D3对文件F3的访问权修改为E； (4)从域D1中切换到域D2中； (5)在域D2中将域D3对文件F2的访问权修改为E。
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