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更多“三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集成结正…”相关的问题
第4题
离子的易化扩散具有下述哪些特点？
A.当电位梯度较大，且与浓度梯度方向相反时，可以逆浓度梯度进行
B.温度降低时，扩散速率减慢
C.不需要外加能量
D.使用的通道为电压门控离子通道或化学门控离子通道
第6题
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgd=0.04pF，Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V，试求其单位增益带宽fT。
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgd=0.04pF，Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V，试求其单位增益带宽fT。
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第8题
测量三极管V1基极静态电位,其低于正常值:Rb1阻值变大或断路，Rb2阻值变小或短路，会造成（)。
A.交流输出信号失真
B.输入电流信号失真
C.输出电压信号失真
D.直流输出信号失真
第9题
假设信源内阻为2kΩ，负载电容为1pF，希望获得一个450MHz带宽的放大器，要求放大器电压增益大于18dB，请设计该放
大器。为了分析方便，假设NMOSFET的偏置是不变的，在该偏置下，有Cgs=220×10-15F，Csb=130×10-15F，Cgd=45×10-15F，Cdb=90×10-15F，rds=2kΩ，gm=12mS，gmb=1.8mS。
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