题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
在两块无限大的导体平板上均匀地通有电流,每块导体板单位宽度的电流均为I,两块板上的电流互相
平行,方向相反,两块导体板之间插有两块相对磁导率为μr1及μr2的顺磁介质,如图所示。则两板之间的H1=();H2=();B1=();B2=()。
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(1)用高斯定理可以证明无限大均匀带电平板两侧的场强E=δ/2ε,这个公式对于靠近有限大小带电面的地方也适用.也就是说,根据这个结果,导体表面面元△S上的电荷在紧靠它的地方产生的场强也应是E=δ/2ε,但它比导体表面附近的场强E=δ/ε小一半,为什么?
(2)若一带电导体表面上某点附近电荷面密度为σ,则该点外表面附近的场强为E=δ/ε,如果将另一带电体移近,问该点的场强是否改变?公式E=δ/ε是否仍成立?
螺绕环中心周长l=10cm,环上均匀密绕线圈N=200匝,线圈中通有电流I=100mA。
两块带电量分别为Q1、Q2的导体平板平行相对放置(如图所示),假设导体平板面积为S,两块导体平板间距为d,并且S >>d.试证明
(1) 相向的两面电荷面密度大小相等符号相反;
(2)相背的两面电荷面密度大 小相等符号相同。
半径为R1、磁导率为μ1的无限长均匀磁介质圆柱体内均匀地通过传导电流I,在它的外面包有一个半径为R2的无限长同轴圆柱面,其上通有与前者方向相反的面传导电流I.两者之间充满磁导率为μ2的均匀磁介质.求空间各区的H和B。
将半径为R、电荷为q0的导体球置于介电常量为ε的均匀无限大电介质中,求电介质内任一点的能量密度.
A.-(μ,-1)I/2πr
B.(μ,-1)I/2πr
C.μrI/2πr
D.I/2πrμr
将一块半导体样品放在xy平面内,如图所示,沿x轴方向通有电流I,沿z方向加一均匀磁场B,若测得薄片两侧电势差UA-U'A>0,则此样品为______型半导体。