如果结果不匹配，请 
更多“上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且…”相关的问题
第2题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
更多“上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且…”相关的问题
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
