关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.用钻机取样,芯样直径为100mm或150mm,芯样高度不宜小于50mm
B.芯样清洁后晾干,以便可以观察出芯样侧立面透层油的下渗情况
C.用钢板尺或量角器将芯样顶面圆周平均分成8等分,分别量测圆周上各等分点处透层油渗透的深度
D.去掉渗透深度测试值中1个最小值,计算其他渗透深度测试值的算术平均值,作为单个测点的渗透深度结果
A、第一次测定应在加水后30min时进行
B、当试针距底板为4mm±1mm时,为水泥达到初凝状态
C、临近终凝时每隔30min测一次
D、当环形附件不能在试体上留下痕迹时,为水泥达到终凝状态
关于空肠、回肠的描述,下列选项错误的是 ()
A.回肠有集合淋巴结
B.空肠占空、回肠全长的上3/5
C.回肠位于腹腔的右下部
D.空肠有孤立淋巴结
E.借小肠系膜固定于腹后壁
A.单分子测序
B.需荧光发光
C.测序读长超过1M,拼接容易,错误率低
D.测序数据实时监控
E.环境要求简单,快速读取数据小巧便捷,可完成极端环境的测序
A.绩效监控应视为管理者始终关注下属的各项活动,以保证它们按计划进行,并纠正各种重要偏差的过程
B.绩效监控始终关注员工的工作结果
C.管理者绩效监控的内容始终围绕着当初在绩效计划阶段确定的绩效目标
D.在绩效管理实践中,不同管理者针对具体工作和下属员工实施绩效监控的过程中也有一些共通之处,这些就是绩效监控的关键点