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[主观题]

设τp=τn=τ0,试根据小信号寿命公式 讨论寿命τ与复合中心能级E,在禁带中位置的关系,并简单说明其物理意义。

设τpn0,试根据小信号寿命公式

设τp=τn=τ0,试根据小信号寿命公式    讨论寿命τ与复合中心能级E,在禁带中位置的关系,并简

讨论寿命τ与复合中心能级E,在禁带中位置的关系,并简单说明其物理意义。

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第1题
写出香农公式,并说出里面的C、B、S、N的含义。试根据香农公式解释CDMA手机可以采用较低的信号发射功率的原因。
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第2题
设一个装置的寿命长度当0<t<t0时,具有常数失效率C0,而在t≥t0时,具有另一个常数失效率C1,试求失效时间T的概

设一个装置的寿命长度当0<t<t0时,具有常数失效率C0,而在t≥t0时,具有另一个常数失效率C1,试求失效时间T的概率密度.

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第3题
线性搜索算法如下:设A的n个元素都不相同.r已在A中的概率为p(0≤p≤1),并且当x在A中时,x等于A的每
线性搜索算法如下:设A的n个元素都不相同.r已在A中的概率为p(0≤p≤1),并且当x在A中时,x等于A的每

线性搜索算法如下:

设A的n个元素都不相同.r已在A中的概率为p(0≤p≤1),并且当x在A中时,x等于A的每一个元素的可能性相等.试分析算法的平均时间复杂度.

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第4题

设随机变量X的概率密度为f(x)=,试求:①P{0<X<1/2};②Y=5X+1的概率密度fY(y)。

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第5题
设随机变量X的分布律为 X α 0 β p 0.4 r 0.1

设随机变量X的分布律为

X

α

0

β

p

0.4

r

0.1

且E(X)=0,D(X)=2,试求待定系数α,β,r,其中α<β

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第6题
设随机变量X的概率密度为试求(1)系数A;(2)X的分布函数;(3)P{0<x≤π/4}。
设随机变量X的概率密度为试求(1)系数A;(2)X的分布函数;(3)P{0<x≤π/4}。

设随机变量X的概率密度为试求(1)系数A;(2)X的分布函数;(3)P{0<x≤π/4}。

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第7题
设P(A)>0,P(B)>0.试判断A、B是否互斥,是否独立,如果有A.P(BIA)=0B.P(BIA)=P(B)C.P(BIA)=P(A)D.P(BIA)=P(AIB)
设P(A)>0,P(B)>0.试判断A、B是否互斥,是否独立,如果有A.P(BIA)=0B.P(BIA)=P(B)C.P(BIA)=P(A)D.P(BIA)=P(AIB)

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第8题
设有常系数齐次线性微分方程组,A为二阶常数矩阵,记p=-trA,q=detA,设p2+q2≠0,试证(
设有常系数齐次线性微分方程组,A为二阶常数矩阵,记p=-trA,q=detA,设p2+q2≠0,试证(

设有常系数齐次线性微分方程组,A为二阶常数矩阵,记p=-trA,q=detA,设p2+q2≠0,试证

(1)当p>0且q>0时,零解渐近稳定;

(2)当p>0且q=0;或p=0且q>0时,零解渐近稳定;

(3)其它情形下零解都不稳定.

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第9题
有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为2X1016cm-3,右
有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为2X1016cm-3,右

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为

2X1016cm-3,右端边界处的空穴依度p(l)为4x1015cm-3,空穴的扩散系数Dp=13cm2/s.设空穴浓度以线性规律由左端向右端扩散,试计算扩散电流密度.

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第10题
设随机变量X的概率密度为f(x)=Ae-|x|,-∞<x<+∞,试求(1)系数A;(2)P{0<X<1};(3)X的分布函数。
设随机变量X的概率密度为f(x)=Ae-|x|,-∞<x<+∞,试求(1)系数A;(2)P{0<X<1};(3)X的分布函数。

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