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[单选题]
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（)。
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
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B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
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(1) 画出图a的交通流路，若Cb很大，C1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2) 画出图b的交流电路，若Cb很大，CC1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3) 定性说明杂散电容对两种电路振荡频率的影响。
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(1)画出图a的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2)画出图b的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3)定性说明电容对两种电路振荡频率的影响。
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B. K+的分泌是通过Na+一K+交换形式实现的
C. Na+一K+与Na+一H+交换两者存在着竞争性抑制
D. 碱中毒时Na+一H+交换降低，Na+一K+交换增加
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