在一个共源放大电路中,已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27,MOS管的
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并
求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)
BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在( ),此时,漏极电流受信号电压( )控制,集电极电流受信号电压( )控制。
图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04μF,其他参数如图所示。求R=0.5kΩ时,电流的值。
(重庆大学2006年考研试题)如图9-44所示正弦电流电路中,已知R1=25Ω,R2=5Ω,R3=200Ω,R4=200Q,us(t)=
,L1=2H,L2=3H,C=50μF,求:(1)电流i1(t)和i2(t);(2)电压源发出的有功功率。