
硅二极管的正向导通压降一般为()
A.0.3~0.5 V
B.0.5~0.6 V
C.0.6~0.8 V
D.0.8~0.9 V

C、0.6~0.8 V

A.0.3~0.5 V
B.0.5~0.6 V
C.0.6~0.8 V
D.0.8~0.9 V
C、0.6~0.8 V
A.称为二极管的正向导通压降
B.称为二极管的死区电压
C.硅管的这个电压一般为0.2~0.3V
D.管的这个电压一般为0.6~0.8V
A.称为二极管的正向导通压降
B.称为二极管的死区电压
C.硅管的这个电压一股为0.2-0.3V
D.锗管的这个电压一股为0.6-O.8V
A.最大整流电流是管子长期运行时允许通过的最大正向电流有效值
B.正向压降是二极管正向导通后的压降,一般情况下硅管约为0.7V
C.反向电流是指管子加反向电压未被击穿时的电流,这个值越小则管子的单向导电性越好
D.极间电容是二极管PN结存在的扩散电容和势垒电容之和,是反映PN结电容效应的参数
A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好
D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN结电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和
A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好
D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和