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[单选题]

硅二极管的正向导通压降一般为()

A.0.3~0.5 V

B.0.5~0.6 V

C.0.6~0.8 V

D.0.8~0.9 V

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C、0.6~0.8 V

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第1题
当二极管完全导通后,二极管两端的电压基本维持不变,关于这个电压说法正确的是__()

A.称为二极管的正向导通压降

B.称为二极管的死区电压

C.硅管的这个电压一般为0.2~0.3V

D.管的这个电压一般为0.6~0.8V

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第2题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。

A.0.6

B.0.7

C.0.8

D.1.0

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第3题
硅二极管的正向导通压降大约是()。

A.0.7V

B.0.2V

C.0.3V

D.1.4V

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第4题
二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()

二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()

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第5题
下列说法正确的有()

A.硅二极管的正向导通压降比锗二极管大

B.硅二极管的正向导通压降比锗二极管小

C.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管大

D.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小

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第6题
当二极管完全导通后,二极管两端的电压基本维持不变,关于这个电压说法正确的是()。

A.称为二极管的正向导通压降

B.称为二极管的死区电压

C.硅管的这个电压一股为0.2-0.3V

D.锗管的这个电压一股为0.6-O.8V

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第7题
在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()

A.0.1v~0.3v

B.0.4v~0.5v

C.0.6v~0.8v

D.0.9v~1.0v

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第8题
硅二极管正向导通管压降为()V

A.O

B.0.6~0.7

C.0.2~0.3

D.0.3~0

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第9题
关于半导体二极管的主要参数,错误的叙述是__()

A.最大整流电流是管子长期运行时允许通过的最大正向电流有效值

B.正向压降是二极管正向导通后的压降,一般情况下硅管约为0.7V

C.反向电流是指管子加反向电压未被击穿时的电流,这个值越小则管子的单向导电性越好

D.极间电容是二极管PN结存在的扩散电容和势垒电容之和,是反映PN结电容效应的参数

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第10题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是__()

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN结电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第11题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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