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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入（）。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第1题

纯净半导体中掺入五价元素后成为（)。

A.本征半导体

B.N型半导体

C.P型半导体

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第2题

在本征半导体中掺入少量（）价元素可以构成P型半导体

A.三

B.五

C.四

D.二

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第3题

P型半导体是在纯净的半导体中掺入（)价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第4题

一般来说，本征半导体的导电能力（)，当掺入某些适当微量元素后其导电能力（)。

A.很强/更强

B.很强/降低

C.很弱/提高

D.很弱/更弱

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第5题

在纯Si中掺入下列（)元素，Si将变为n型半导体。

A.Ca

B.As

C.Ga

D.C

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第6题

在纯Ge中掺入下列（)元素，Ge将变为p型半导体。

A.In

B.Si

C.Br

D.N

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第7题

N型半导体中掺入的是（），价元素的杂质，其多数载流子是（）。

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第8题

带电子多的杂质半导体称为（）。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征型半导体

D.电子型半导体

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第9题

P型半导体的多子为___、N型半导体的多子为___、本征半导体的载流子为___。

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第10题

在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（）。

A.电

B.热

C.磁

D.掺杂

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第11题

温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）

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