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[填空题]

在P型半导体中()是多子,()是少子。

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第1题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()

A.多子积累

B.少子积累

C.多子耗尽

D.少子反型

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第2题
P型半导体的多子为___、N型半导体的多子为___、本征半导体的载流子为___。

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第3题
关于准费米能级,以下说法正确的是:()。

A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度

B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态

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第4题
在P型半导体中()是多数载流子。

A.自由电子

B.空穴

C.正电荷

D.负电荷

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第5题
PN结加正向电压时,其正向电流是()。

A.多子漂移而成

B.少子漂移而成

C.多子扩散而成

D.少子扩散而成

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第6题
P型半导体是在纯净的半导体中掺入()价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第7题
【填空题】在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

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第8题
场效应管和三极管一样,都有两种载流子(多子和少子)参与导电。()
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第9题
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第10题
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第11题
P型半导体中没有自由电子。()
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