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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

霍尔元件一般采用（）半导体材料

A.本征

B.P型

C.N型

答案

C、N型

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第1题

制造霍尔元件的理想材料是（)。

A.金属

B.半导体

C.绝缘体

D.晶体

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第2题

霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（)及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第3题

请问在相同的环境条件下，本征半导体材料和杂质半导体材料哪种材料的导电能力更强？为什么？

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第4题

材料的禁带宽度，最大的是（)

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第5题

某一半导体材料的禁带宽度为3.1电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为（）纳米。

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第6题

某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为（）纳米。

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第7题

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第8题

一般情况下，热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随（）而变化的性质制成的温度温度敏感元件。

A.压力

B.温度

C.电流

D.电压

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第9题

霍尔片为一（)材料制成的薄片。

A.绝缘体

B.半导体

C.导体

D.固体

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第10题

霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括（)。

A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触

B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

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第11题

何为本征半导体与本征吸收？

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