图6.3.1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图,分析地址单元0~3中存储的
图6.3.1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图,分析地址单元0~3中存储的内容,列出PROM的地址与存储内容对应关系的真值表。 (2)若把A1、A0看作输入变量,数据码D3、D2、D1、D0作为输出函数,试分别写出D3、D2、D1、D0的表达式。
图6.3.1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图,分析地址单元0~3中存储的内容,列出PROM的地址与存储内容对应关系的真值表。 (2)若把A1、A0看作输入变量,数据码D3、D2、D1、D0作为输出函数,试分别写出D3、D2、D1、D0的表达式。
在教材图22.3.9中,若PROM存储矩阵的编程如图22.26所示。试画出输出电压uo的波形。
(1)试用译码器CT74138和必要的门电路设计.
(2)试用PAL实现,并画出PAL编程后的阵列图.
图是某MSI计数芯片的应用电路,设VD为理想二极管,R1=R2=5.1kΩ,C=0.1μF。
A.细胞凋亡过程受细胞自身基因调控
B.凋亡小体被吞噬后的消化与溶酶体有关
C.凋亡小体内没有结构完整的细胞器
D.细胞凋亡在个体生长发育过程中发挥重要作用
图所示单口电路N,欲使其开路电压u(t)的零状态响应为(10-5e-10t)ε(t)V。现有下列规格的元件,电阻:1Ω,5Ω,10Ω;电容:1F,0.1F,0.01F;电压源:ε(t)V,5ε(t)V,10ε(t)V。试选用上述元件构造该单口电路,ε(t)表示单位阶跃函数。(结构尽量简单)
某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。
图8-12中,地址A9~A2为如图组合时,端输出低电平(AEN必须为低电平),地址依次为:10111100,共8位。把A1、A0附在最后构成10位地址如下。
放进筒中的数据被后放进筒中的数据“压住”,只有放进筒中的数据都取出后,先放进去的数据才能被取出,称为“后进先出”。堆栈的长度可随意增加。堆栈结构可用链表实现。设计一个链表结构需包含两个成员:一个存放数据,一个为指向下一个节点的指针。当每次有一个新数据要放入堆栈时,称为“压入堆栈”,这时动态建立一个链表的节点,并连接到链表的结尾;当每次从堆栈中取出一个数据时.称为“弹出堆栈”,这意味着从链表的最后一个节点中取出该节点的数据成员,同时删除该节点,释放该节点所占的内存。