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[单选题]

测得某硅晶体三极管的电位如图1所示,判断管子的工作状态是()。测得某硅晶体三极管的电位如图1所示,判断管子的工作状态是()。

A.放大状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.击穿状态

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第1题
(中国科技大学2006—2007学年第1学期期末考试试题)如图6—41所示是某同学在圆柱压力分布实验中的实

(中国科技大学2006—2007学年第1学期期末考试试题)如图6—41所示是某同学在圆柱压力分布实验中的实验结果,其中实线是理论值,点是测量值。请问: (1)测得的压力曲线为什么和理论曲线不同? (2)圆柱的驻点在什么位置? (3)曲线中表示分离点在什么位置? (4)边界层是层流还是湍流状态?为什么?

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第2题
电路如图LPS4-1所示,已知晶体三极管参数β12=100,|VA1|=|VA2|=150V,试求两管
静态工作点ICQ和ΥCEQ若RB2分别改为20kΩ和15kΩ,求相应的ICQ和ΥCEQ,并分析比较两种结果.

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第3题
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静

态(即ve=0)时,求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。

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第4题
(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H,R3=R4=R5=1Ω,。(1)

(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H,R3=R4=R5=1Ω,

。(1)选定参考点如图所示,将电路作必要的等效后写出关联矩阵A;(2)写出支路导纳矩阵和节点导纳矩阵;(3)用节点电压方程求节点①的电位。

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第5题
控制系统A如图9-3(a)所示,控制系统B如.图9-3(b)所示。 (1)分别求系统A、系统B的u到y的传递

控制系统A如图9-3(a)所示,控制系统B如.图9-3(b)所示。

(1)分别求系统A、系统B的u到y的传递函数。 (2)判断系统A和系统B的可控性和可观测性(列出判断过程),并对判断结果进行比较和解释。

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第6题
电路如图题10.3.3所示,设A1,A2为理想运放。(1)求A1(s)=及A(s)=;(2)根据导出的A1⌘
电路如图题10.3.3所示,设A1,A2为理想运放。(1)求A1(s)=及A(s)=;(2)根据导出的A1⌘

电路如图题10.3.3所示,设A1,A2为理想运放。(1)求A1(s)=及A(s)=;(2)根据导出的A1(s)和A(s)表达式,判断它们分别属于什么类型的滤波电路。

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第7题
某系统相平面如图8-46所示,试求从P1点到P2点所需要的时间,其中x1分别取为1、2、3和4。

某系统相平面如图8-46所示,试求从P1点到P2点所需要的时间,其中x1分别取为1、2、3和4。

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第8题
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出

电压V0的波形。

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第9题
若水箱两侧的测压管上端封闭,且为完全真空,如图2-33所示。测得Z1=50mm,求封闭容器液面上绝对压强及Z2。

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第10题
某V-F转换器的原理图如图6-29所示。已知Vi=10V,VREF=-6V,试求: (1)画出变换过程中Vo,VC的波

某V-F转换器的原理图如图6-29所示。已知Vi=10V,VREF=-6V,试求: (1)画出变换过程中Vo,VC的波形(忽略C 的放电时间); (2)估算输出脉冲VC的频率; (3)若Vj改为4.5V,则VC的频率变为多少?

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第11题
某1Ω电阻两端的电压u(t)如图4-19所示。(1)求u(t)的三角形式傅里叶系数。(2)利用(1)的结果和u(1/2
某1Ω电阻两端的电压u(t)如图4-19所示。(1)求u(t)的三角形式傅里叶系数。(2)利用(1)的结果和u(1/2

某1Ω电阻两端的电压u(t)如图4-19所示。

(1)求u(t)的三角形式傅里叶系数。

(2)利用(1)的结果和u(1/2)=1,求下列无穷级数之和:

(3)求1Ω电阻的平均功率和电压有效值。

(4)利用(3)的结果,求下列无穷级数之和:

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