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第6题
以下关于可兴奋细胞动作电位的描述，正确的是A．动作电位是细胞受刺激时出现的快速而不可逆的电位
以下关于可兴奋细胞动作电位的描述，正确的是
A．动作电位是细胞受刺激时出现的快速而不可逆的电位变化
B．在动作电位的去极相，膜电位由内正外负变为内负外正
C．动作电位的大小不随刺激强度和传导距离而改变
D．动作电位的绝对值大小随刺激强度和传导距离而改变
E．不同的细胞，动作电位的辐值都相同
第8题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
第10题
半圆闭合线阁半径R=0.10m，通过电流I=10A，放在匀强磁场中，磁场方向与线圈位置如图5.23所示，B=0
.50T
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(1)求线圈所受的磁力矩的大小和方向;
(2)若此线圈受力矩的作用转到线圈平面与磁场垂直的位置，则力矩做功多少？
