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第9题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第11题
敏感性可以表现为内部噪音分布fN(X)与信号加噪音分布fSN(X)之间的分离程度，( )。
A.两者的分离程度越大，敏感性越高
B.两者的分离程度越大，敏感性越低
C.两者分离程度越小，敏感性越低
D.两者分离程度越小，敏感性越高
