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[主观题]

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=100Q,线长;无损

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=100Q,线长

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=;无损耗线l2和l3特征阻抗均为Zc2=200Ω,l2线长

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=,设电信号在所有无损线中的传播速度(相位移速度)均为v=3×108m/s;阻抗Z=100Ω,

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=;欲使l1中无反射波,问l3最短应取多长?此时电流i2(t)为多少?

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=

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第1题
(浙江大学2005年考研试题)电路如图15-22所示,列写如图所示电路的状态方程。

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第2题
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第3题
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第4题
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第5题
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第6题
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第7题
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第8题
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第9题
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A.-16W

B.16W

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第10题
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