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第2题
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。
A.施主能级,导带底
B.施主能级,价带顶
C.受主能级,导带底
D.受主能级,价带顶
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第3题
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。
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第4题
p型空间电荷区由()构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质
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第5题
下列不属于薄层色谱法常用的杂质检查法是()。
A.杂质对照品法
B.加校正因子的主成分对照法
C.供试品溶液的自身稀释对照法
D.选项A和选项C两法并用
E.对照药物法
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第6题
施主型界面态主要是由()引起的,受主型界面态主要是由()引起的。
A.悬挂键,晶格失配
B.悬挂键及晶格失配,杂质
C.杂质及悬挂键,晶格失配
D.杂质,悬挂键及晶格失配
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第7题
采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质
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第8题
碱性镀锡溶液中最有害的杂质三锡离子,尤其三二价锡离子。()
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第9题
霍尼韦尔ST30000智能变送器的传感器是()式。
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第10题
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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第11题
材料的禁带宽度,最大的是()
A. 金属;
B. 杂质半导体;
C. 绝缘体;
D. 本征半导体;
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