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[单选题]

半导体硅常用的受主杂质是()。

A.锡

B.硫

C.硼

D.磷

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第1题
下列不是碳素钢中常见杂质的是()。

A.锰

B.硅

C.锡

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第2题
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。

A.施主能级,导带底

B.施主能级,价带顶

C.受主能级,导带底

D.受主能级,价带顶

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第3题
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第4题
p型空间电荷区由()构成。

A.电子

B.空穴

C.带正电的电离施主杂质

D.带负电的电离受主杂质

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第5题
下列不属于薄层色谱法常用的杂质检查法是()。

A.杂质对照品法

B.加校正因子的主成分对照法

C.供试品溶液的自身稀释对照法

D.选项A和选项C两法并用

E.对照药物法

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第6题
施主型界面态主要是由()引起的,受主型界面态主要是由()引起的。

A.悬挂键,晶格失配

B.悬挂键及晶格失配,杂质

C.杂质及悬挂键,晶格失配

D.杂质,悬挂键及晶格失配

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第7题
采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.带负电的电离受主杂质

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第8题
碱性镀锡溶液中最有害的杂质三锡离子,尤其三二价锡离子。()
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第9题
霍尼韦尔ST30000智能变送器的传感器是()式。

A.硅微电容

B.复合半导体

C.硅电容

D.硅谐振

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第10题
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第11题
材料的禁带宽度,最大的是()

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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