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[主观题]
可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压
可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。
(1)试写出电路电压增
的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。
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可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。
(1)试写出电路电压增
的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。
的作用.(2)求ICQ1、ICQ2.(3)求差模增益Atd1.
表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?
欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?
等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻,计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs。
如图2.35所示方形镜谐振腔,凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6.45cm,f2=πω022/λ0=38.7cm。d1=25cm,d2=50cm,r1=0.98,r2=0.93。透镜的透过率为95%,λ0=5145
。
(1)写出TEMmnq模频率的表达式; (2)求腔内光子寿命; (3)估计腔的Q值; (4)如果腔内存在增益物质,可以使光强每程放大1.13倍,求此有源腔的光子寿命,对此结果怎样理解?
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益