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A.开关调整管T导通时间越长，电感L储能越多，因此，当T截止时L向负载释放能量越多，在一定负载电流条件下，输出电压越高
B.为了提高开关稳压电源的效率，开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管(或MOSFET)
C.选择续流二极管要考虑导通、截止和转换三部分的损耗，因此选用正向压降小，反向电流小和存储时间短的开关二极管
D.开关稳压电路的开关频率一般为15〜500kHz，所以输岀端的滤波电容应便用低频电解电容
三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。
A.Iceo=Icbo
B.Iceo=（β+1）Icbo
C.Iceo=βIcbo
D.Iceo=（β-1）Icbo
A.发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
B.发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
C.发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于饱和区工作
D.发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
A.发射结正向偏置，集电结正向偏置
B.发射结反向偏置，集电结反向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
