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[单选题]
NPN型三极管BJT的集电极和发射级的关系是()。
A.因为都是N型半导体构成所以可以互换使用
B.因为结构不同不可以互换使用
C.集电极串联一个电阻后可以作为发射极使用
D.发射极串联一个电阻后可以作为集电极使用
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B.因为结构不同不可以互换使用
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A.发射极加正向电压，集电极加反向电压
B.发射极加反向电压，集电极加正向电压
C.基极加反向电压，集电极加正向电压
D.基极加正向电压，集电极加反向电压
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生_______失真。
A．截止失真
B．饱和失真
C．双向失真
D．线性失真
求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2，沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA，IES=6x10-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
