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第5题
热氧化前硅片厚100微米，氧化后二氧化硅的厚度为100微米，此时下列正确的是()。
A.被氧化了44微米的硅
B.被氧化了56微米的硅
C.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为144微米
D.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为156微米
第6题
按照集群化、规模化、品牌化发展方向，围绕集成电路、智能制造装备等()条产业链，建立“链长制”，有效整合都市圈的产业资源和创新要素，促进强链补链，推动产业链创新链供应链实现有机衔接，产业地标集聚发展的特色更加鲜明。
A.6
B.7
C.8
D.9
第9题
下面关于集成电路（IC)的叙述中，正确的是（)。
A.集成电路是上世纪50年代出现的
B.集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成
C.集成电路使用的都是半导体硅(Si)材料
D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系
第10题
下列关于集成电路的叙述中错误的是（）。
A.微电子技术以集成电路为核心
B.现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓
C.集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路
D.集成电路使用的材料都是半导体硅材料
